SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (61 Betyg)

SI7137DP-T1-GE3

Produktöversikt

12915942

DiGi Electronics Delenummer

SI7137DP-T1-GE3-DG

Tillverkare

Vishay Siliconix
SI7137DP-T1-GE3

Beskrivning

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Inventarier

11873 Pcs Ny Original I Lager
P-Channel 20 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Enkelt FET:er, MOSFET:er
SI7137DP-T1-GE3 Datablad
Antal
Minst 1

Köp och förfrågan

RFQ (Begäran om offert)

Du kan skicka din RFQ-förfrågan direkt på produktens detaljsida eller RFQ-sidan. Vårt försäljningsteam kommer att svara på din förfrågan inom 24 timmar.

Betalningsmetod

Vi erbjuder flera bekväma betalningsmetoder inklusive PayPal (rekommenderat för nya kunder), kreditkort och banköverföringar (T/T) i USD, EUR, HKD och andra valutor.

VIKTIGT MEDDELANDE

Efter att du har skickat din förfrågan (RFQ) kommer du att få ett e-postmeddelande i din inkorg som bekräftar att vi har mottagit din förfrågan. Om du inte får det kan vår e-postadress ha identifierats som skräppost. Vänligen kontrollera din skräppostmapp och lägg till vår e-postadress [email protected] på din vitlista för att säkerställa att du får vårt erbjudande. På grund av möjlighet till lager- och prisfluktuationer behöver vårt försäljningsteam bekräfta din förfrågan eller beställning och skicka dig eventuella uppdateringar via e-post i god tid. Om du har några andra frågor eller behöver ytterligare hjälp, tveka inte att meddela oss.

I lager (Alla priser är i USD)
  • ANTAL Målsättning Pris Totalt pris
  • 3000 0.93 2782.75
  • 6000 0.88 5298.65
  • 9000 0.87 7851.90
Bättre pris genom online RFQ.
Begära offert(Skickas i morgon)
Antal
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SI7137DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare Vishay

Förpackning Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Produktens status Active

FET-typ P-Channel

Teknik MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss) 20 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C 60A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på) 2.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs 1.95mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs 585 nC @ 10 V

Vgs (max) ±12V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 10 V

FET-funktion -

Effektförlust (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Drifttemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering Surface Mount

Paket för leverantörsenhet PowerPAK® SO-8

Paket / Fodral PowerPAK® SO-8

Grundläggande produktnummer SI7137

Datablad och dokument

Datasheets

Ladda ner SI7137DP-T1-GE3 Produkt- och specifikation (PDF)
Datablad

SI7137DP
HTML-Datasheet

SI7137DP-T1-GE3-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Affected
ECCN (ECCN) EAR99
HTSUS (HTSUS) 8541.29.0095

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7137DPT1GE3
SI7137DP-T1-GE3DKR
SI7137DP-T1-GE3TR
SI7137DP-T1-GE3-DG
SI7137DP-T1-GE3CT
DIGI Certifiering
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Relaterade produkter
Bloggar & Inlägg
De senaste framstegen inom integrerad kretsteknik: Analys av fem banbrytande tekniker
Jan 18 2025
Framsteg inom induktorteknik: Innovativa tillämpningar av LTCC och högfrekventa resonansomvandlare
Jan 18 2025
Kretsskydd: Nyckelteknik för att garantera säkerheten i elektroniska system för industri och fordon
Jan 18 2025