Förebyggande av förfalskningar och defekter
Visuell och packningsinspektion
Elprestanda verifiering
Service E-post
[email protected]
>
SI3493BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
272300 Pcs Ny Original I Lager
P-Channel 20 V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Begära offert
(Skickas i morgon)
*Antal
Minst 1
Minst 1
5.0 / 5.0
- (339 Betyg)
SI3493BDV-T1-E3
Produktöversikt
12917291
DiGi Electronics Delenummer
SI3493BDV-T1-E3-DGTillverkare
Vishay Siliconix
SI3493BDV-T1-E3
Beskrivning
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOPInventarier
272300 Pcs Ny Original I Lager
P-Channel 20 V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Antal
Minst 1
Minst 1
Köp och förfrågan
Garanti & Returer
Hur man beställer
Frakt & Leverans
Kvalitetssäkring
365 - Daglig kvalitetsgaranti - Varje del är helt täckt.
Återbetalning eller byte inom 90 dagar - Felska delar? Inga problem.
Begränsat lager, beställ nu - få pålitliga delar utan bekymmer.
Global frakt och säker förpackning
Leverans världen runt på 3-5 arbetsdagar
100% ESD antistatiskt förpackning
Sporing i realtid för varje beställning
Säker och flexibel betalning
Kreditkort, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Banköverföring (T/T) och mer
Alla betalningar krypterade för säkerhet
SI3493BDV-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
Transistorer, FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
43.5 nC @ 5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1805 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundläggande produktnummer
SI3493
Datablad och dokument
Datablad
SI3493BDV
HTML-Datasheet
SI3493BDV-T1-E3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI3493BDVT1E3
SI3493BDV-T1-E3CT
SI3493BDV-T1-E3DKR
SI3493BDV-T1-E3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Desemba 02, 2025
Très satisfait de la rapidité d'expédition et de leur accompagnement après-vente.
Desemba 02, 2025
I appreciate Di Digi Electronics' dedication to providing top-tier products coupled with excellent after-sales service.
Desemba 02, 2025
I’ve never been disappointed with the products’ consistency from Di Digi Electronics.
Desemba 02, 2025
The consistency and transparency of their pricing benefits our financial planning.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Vanliga frågor (FAQ)
Vad är de huvudsakliga funktionerna och specifikationerna för Vishay SI3493BDV-T1-E3 P-kanal MOSFET?
Denna MOSFET är en 20V, 8A P-kanal metalloxidhalvledare som passar för högpresterande switchkretsar. Den har låg Rds on (max 27,5 mΩ) och god värmehantering, och är monterad i ett 6-pin yta-monteringspaket.
För vilka elektroniska enheter eller applikationer är denna MOSFET lämplig?
Den används ofta inom strömförsörjningshantering, motorstyrning och switchade strömförsörjningar, särskilt i bärbara enheter och industriella applikationer som kräver hög verkningsgrad och låg energiförlust.
Vilka styrspänningar är kompatibla med Vishay SI3493BDV-T1-E3?
MOSFET:ens gate-drivspänningsintervall är 1,8V till 4,5V, vilket möjliggör god ledningsförmåga vid låga spänningar och passar för lågspänningsstyrda system.
Vad är fördelarna med att köpa denna MOSFET och vilken eftermarknadsgaranti finns?
Produkten är helt ny, original och lagersatta, i enlighet med RoHS-standarder. Den kan köpas i större volymer och åtnjuter tillverkarens garanti för kvalitet och teknisk support.
Hur installerar och använder man korrekt SI3493BDV-T1-E3 P-kanal MOSFET?
Den är i ett 6-TSOP-paket, vilket rekommenderar noggrann yta-monterings- och svetsprocess. Se till att polariteten är korrekt ansluten och använd den inom ett temperaturområde på -55°C till 150°C.
Kvalitetssäkring (QC)
DiGi säkerställer kvaliteten och autenticiteten för varje elektroniskt komponent genom professionella inspektioner och samplesatsning, vilket garanterar pålitlig sourcing, stabil prestanda och efterlevnad av tekniska specifikationer. Detta hjälper kunder att minska risker i leveranskedjan och använda komponenter i produktionen med förtroende.
SI3493BDV-T1-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SI3493BDV-T1-E3 PCB symbols & footprints
productDetail
