STP110N7F6 STMicroelectronics
5.0 / 5.0 - (152 Betyg)

STP110N7F6

Produktöversikt

12879682

DiGi Electronics Delenummer

STP110N7F6-DG

Tillverkare

STMicroelectronics
STP110N7F6

Beskrivning

MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220

Inventarier

Förfrågan Online
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Enkelt FET:er, MOSFET:er
STP110N7F6 Datablad
Antal
Minst 1

Köp och förfrågan

RFQ (Begäran om offert)

Du kan skicka din RFQ-förfrågan direkt på produktens detaljsida eller RFQ-sidan. Vårt försäljningsteam kommer att svara på din förfrågan inom 24 timmar.

Betalningsmetod

Vi erbjuder flera bekväma betalningsmetoder inklusive PayPal (rekommenderat för nya kunder), kreditkort och banköverföringar (T/T) i USD, EUR, HKD och andra valutor.

VIKTIGT MEDDELANDE

Efter att du har skickat din förfrågan (RFQ) kommer du att få ett e-postmeddelande i din inkorg som bekräftar att vi har mottagit din förfrågan. Om du inte får det kan vår e-postadress ha identifierats som skräppost. Vänligen kontrollera din skräppostmapp och lägg till vår e-postadress [email protected] på din vitlista för att säkerställa att du får vårt erbjudande. På grund av möjlighet till lager- och prisfluktuationer behöver vårt försäljningsteam bekräfta din förfrågan eller beställning och skicka dig eventuella uppdateringar via e-post i god tid. Om du har några andra frågor eller behöver ytterligare hjälp, tveka inte att meddela oss.

Begära offert(Skickas i morgon)
Antal
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

STP110N7F6 Tekniska specifikationer

Kategori FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare STMicroelectronics

Förpackning -

Serie STripFET™ F6

Produktens status Obsolete

FET-typ N-Channel

Teknik MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss) 68 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C 110A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på) 10V

rds på (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V

Vgs (max) ±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 5850 pF @ 25 V

FET-funktion -

Effektförlust (max) 176W (Tc)

Drifttemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering Through Hole

Paket för leverantörsenhet TO-220

Paket / Fodral TO-220-3

Grundläggande produktnummer STP110

Datablad och dokument

Datasheets

Ladda ner STP110N7F6 Produkt- och specifikation (PDF)
Datablad

STP110N7F6
HTML-Datasheet

STP110N7F6-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN (ECCN) EAR99
HTSUS (HTSUS) 8541.29.0095

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
STP110N7F6-DG
497-17934

Alternativa modeller

DELNUMMER
Tillverkare
ANTAL TILLGÄNGLIGT
DEL NUMMER
ENHETSPRIS
Ersättnings typ
IRFB3307ZPBF
Infineon Technologies
1731
IRFB3307ZPBF-DG
0.99
Similar
DMT6005LCT
Diodes Incorporated
Förfrågan Online
DMT6005LCT-DG
1.26
Similar
DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
Förfrågan Online
DMTH6005LCT-DG
0.95
Similar
DMT6010SCT
Diodes Incorporated
47
DMT6010SCT-DG
0.48
Similar
IPP057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
494
IPP057N06N3GXKSA1-DG
0.67
Similar
DIGI Certifiering
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Relaterade produkter
Bloggar & Inlägg
De senaste framstegen inom integrerad kretsteknik: Analys av fem banbrytande tekniker
Jan 18 2025
Framsteg inom induktorteknik: Innovativa tillämpningar av LTCC och högfrekventa resonansomvandlare
Jan 18 2025
Kretsskydd: Nyckelteknik för att garantera säkerheten i elektroniska system för industri och fordon
Jan 18 2025