Förebyggande av förfalskningar och defekter
Visuell och packningsinspektion
Elprestanda verifiering
Service E-post
[email protected]
>
RUM002N05T2L
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
372340 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Begära offert
(Skickas i morgon)
*Antal
Minst 1
Minst 1
5.0 / 5.0
- (114 Betyg)
RUM002N05T2L
Produktöversikt
13525789
DiGi Electronics Delenummer
RUM002N05T2L-DGTillverkare
Rohm Semiconductor
RUM002N05T2L
Beskrivning
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3Inventarier
372340 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Antal
Minst 1
Minst 1
Köp och förfrågan
Garanti & Returer
Hur man beställer
Frakt & Leverans
Kvalitetssäkring
365 - Daglig kvalitetsgaranti - Varje del är helt täckt.
Återbetalning eller byte inom 90 dagar - Felska delar? Inga problem.
Begränsat lager, beställ nu - få pålitliga delar utan bekymmer.
Global frakt och säker förpackning
Leverans världen runt på 3-5 arbetsdagar
100% ESD antistatiskt förpackning
Sporing i realtid för varje beställning
Säker och flexibel betalning
Kreditkort, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Banköverföring (T/T) och mer
Alla betalningar krypterade för säkerhet
RUM002N05T2L Tekniska specifikationer
Kategori
Transistorer, FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
50 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.2V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
25 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
VMT3
Paket / Fodral
SOT-723
Grundläggande produktnummer
RUM002
Datablad och dokument
Datablad
RUM002N05T2L
Dokument om tillförlitlighet
VMT3 MOS Reliability Test
Resurser för design
VMT3M Inner Structure
HTML-Datasheet
RUM002N05T2L-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Ytterligare information
Standard-paket
8,000
Andra namn
RUM002N05T2L-ND
RUM002N05T2LCT
RUM002N05T2LDKR
RUM002N05T2LTR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Desemba 02, 2025
Ich bin begeistert, wie transparent die Preise bei DiGi Electronics sind, das schafft Vertrauen.
Desemba 02, 2025
配送の正確さと梱包の丈夫さが印象的です。
Desemba 02, 2025
Every shopping experience confirms their dedication to quality and honest pricing.
Desemba 02, 2025
The company's attention to delivery deadlines has helped us avoid costly downtimes.
Desemba 02, 2025
Their customer support truly cares, making me feel valued and supported.
Desemba 02, 2025
Their prompt after-sales responses prevent minor issues from escalating.
Desemba 02, 2025
Reliability and kindness define my experience with DiGi Electronics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Vanliga frågor (FAQ)
Vad är huvudfunktionen hos RUM002N05T2L MOSFET?
RUM002N05T2L är en N-channel MOSFET utformad för switch- och förstärkningsapplikationer, kapabel att hantera upp till 50V och 200mA ström. Den är lämplig för strömhanteringskretsar.
Är RUM002N05T2L MOSFET kompatibel med ytmonterade kretskortsdesigner?
Ja, denna MOSFET har ett SOT-723-packning, vilket passar för ytmonteringsteknik och möjliggör kompakt och effektiv integration på kretskortet.
Vilka är de viktigaste fördelarna med att använda RUM002N05T2L MOSFET i elektroniska projekt?
Denna MOSFET erbjuder låg Rds On (max 2,2Ω vid 200mA), ett brett driftstemperaturområde upp till 150°C och är RoHS3-kompatibel, vilket garanterar pålitlig och miljövänlig prestanda.
Kan RUM002N05T2L MOSFET fungera vid höga temperaturer?
Ja, den är klassad för att fungera kontinuerligt vid temperaturer upp till 150°C, vilket gör den lämplig för höga temperaturmiljöer och krävande applikationer.
Hur förhåller sig RUM002N05T2L till kraftförlust och effektivitet?
Den har en maximal effektförlust på 150mW, vilket bidrar till energieffektivitet i lågströmskopplingsapplikationer, med låg ingångskapacitans för snabb switchning.
Kvalitetssäkring (QC)
DiGi säkerställer kvaliteten och autenticiteten för varje elektroniskt komponent genom professionella inspektioner och samplesatsning, vilket garanterar pålitlig sourcing, stabil prestanda och efterlevnad av tekniska specifikationer. Detta hjälper kunder att minska risker i leveranskedjan och använda komponenter i produktionen med förtroende.
RUM002N05T2L CAD Models
Rohm Semiconductor RUM002N05T2L PCB symbols & footprints
productDetail
