RUM002N05T2L Rohm Semiconductor
5.0 / 5.0 - (100 Betyg)

RUM002N05T2L

Produktöversikt

13525789

DiGi Electronics Delenummer

RUM002N05T2L-DG

Tillverkare

Rohm Semiconductor
RUM002N05T2L

Beskrivning

MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

Inventarier

812712 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Enkelt FET:er, MOSFET:er
RUM002N05T2L Datablad
Antal
Minst 1

Köp och förfrågan

RFQ (Begäran om offert)

Du kan skicka din RFQ-förfrågan direkt på produktens detaljsida eller RFQ-sidan. Vårt försäljningsteam kommer att svara på din förfrågan inom 24 timmar.

Betalningsmetod

Vi erbjuder flera bekväma betalningsmetoder inklusive PayPal (rekommenderat för nya kunder), kreditkort och banköverföringar (T/T) i USD, EUR, HKD och andra valutor.

VIKTIGT MEDDELANDE

Efter att du har skickat din förfrågan (RFQ) kommer du att få ett e-postmeddelande i din inkorg som bekräftar att vi har mottagit din förfrågan. Om du inte får det kan vår e-postadress ha identifierats som skräppost. Vänligen kontrollera din skräppostmapp och lägg till vår e-postadress [email protected] på din vitlista för att säkerställa att du får vårt erbjudande. På grund av möjlighet till lager- och prisfluktuationer behöver vårt försäljningsteam bekräfta din förfrågan eller beställning och skicka dig eventuella uppdateringar via e-post i god tid. Om du har några andra frågor eller behöver ytterligare hjälp, tveka inte att meddela oss.

I lager (Alla priser är i USD)
  • ANTAL Målsättning Pris Totalt pris
  • 8000 0.06 519.93
  • 16000 0.06 889.68
  • 24000 0.05 1309.51
  • 56000 0.05 2557.25
  • 200000 0.04 8800.72
Bättre pris genom online RFQ.
Begära offert(Skickas i morgon)
Antal
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

RUM002N05T2L Tekniska specifikationer

Kategori FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare ROHM Semiconductor

Förpackning Tape & Reel (TR)

Serie -

Produktens status Active

FET-typ N-Channel

Teknik MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss) 50 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C 200mA (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på) 1.2V, 4.5V

rds på (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Vgs (max) ±8V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V

FET-funktion -

Effektförlust (max) 150mW (Ta)

Drifttemperatur 150°C (TJ)

Typ av montering Surface Mount

Paket för leverantörsenhet VMT3

Paket / Fodral SOT-723

Grundläggande produktnummer RUM002

Datablad och dokument

Datasheets

Ladda ner RUM002N05T2L Produkt- och specifikation (PDF)
Datablad

RUM002N05T2L
Dokument om tillförlitlighet

VMT3 MOS Reliability Test
Resurser för design

VMT3M Inner Structure
HTML-Datasheet

RUM002N05T2L-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN (ECCN) EAR99
HTSUS (HTSUS) 8541.21.0095

Ytterligare information

Standard-paket
8,000
Andra namn
RUM002N05T2L-ND
RUM002N05T2LCT
RUM002N05T2LDKR
RUM002N05T2LTR
DIGI Certifiering
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Relaterade produkter
Bloggar & Inlägg
De senaste framstegen inom integrerad kretsteknik: Analys av fem banbrytande tekniker
Jan 18 2025
Framsteg inom induktorteknik: Innovativa tillämpningar av LTCC och högfrekventa resonansomvandlare
Jan 18 2025
Kretsskydd: Nyckelteknik för att garantera säkerheten i elektroniska system för industri och fordon
Jan 18 2025