RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor
4.9 / 5.0 - (387 Betyg)

RE1C002UNTCL

Produktöversikt

13526593

DiGi Electronics Delenummer

RE1C002UNTCL-DG
RE1C002UNTCL

Beskrivning

MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F

Inventarier

1496086 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Antal
Minst 1

Köp och förfrågan

RFQ (Begäran om offert)

Du kan skicka din RFQ-förfrågan direkt på produktens detaljsida eller RFQ-sidan. Vårt försäljningsteam kommer att svara på din förfrågan inom 24 timmar.

Betalningsmetod

Vi erbjuder flera bekväma betalningsmetoder inklusive PayPal (rekommenderat för nya kunder), kreditkort och banköverföringar (T/T) i USD, EUR, HKD och andra valutor.

VIKTIGT MEDDELANDE

Efter att du har skickat din förfrågan (RFQ) kommer du att få ett e-postmeddelande i din inkorg som bekräftar att vi har mottagit din förfrågan. Om du inte får det kan vår e-postadress ha identifierats som skräppost. Vänligen kontrollera din skräppostmapp och lägg till vår e-postadress [email protected] på din vitlista för att säkerställa att du får vårt erbjudande. På grund av möjlighet till lager- och prisfluktuationer behöver vårt försäljningsteam bekräfta din förfrågan eller beställning och skicka dig eventuella uppdateringar via e-post i god tid. Om du har några andra frågor eller behöver ytterligare hjälp, tveka inte att meddela oss.

I lager (Alla priser är i USD)
  • ANTAL Målsättning Pris Totalt pris
  • 3000 0.03 104.74
  • 6000 0.03 196.42
  • 9000 0.03 241.69
  • 30000 0.03 799.89
  • 75000 0.02 1834.69
  • 150000 0.02 3080.16
Bättre pris genom online RFQ.
Begära offert(Skickas i morgon)
Antal
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

RE1C002UNTCL Tekniska specifikationer

Kategori FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare ROHM Semiconductor

Förpackning Tape & Reel (TR)

Serie -

Produktens status Active

FET-typ N-Channel

Teknik MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss) 20 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C 200mA (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på) 1.2V, 2.5V

rds på (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V

Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Vgs (max) ±8V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V

FET-funktion -

Effektförlust (max) 150mW (Ta)

Drifttemperatur 150°C (TJ)

Typ av montering Surface Mount

Paket för leverantörsenhet EMT3F (SOT-416FL)

Paket / Fodral SC-89, SOT-490

Grundläggande produktnummer RE1C002

Datablad och dokument

Dokument om tillförlitlighet

EMT3F MOS Reliability Test

Resurser för design

EMT3F Inner Structure

HTML-Datasheet

RE1C002UNTCL-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN (ECCN) EAR99
HTSUS (HTSUS) 8541.21.0095

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
RE1C002UNTCLTR
RE1C002UNTCLCT
RE1C002UNTCLDKR
DIGI Certifiering
Bloggar & Inlägg