Förebyggande av förfalskningar och defekter
Visuell och packningsinspektion
Elprestanda verifiering
Service E-post
[email protected]
>
NTR3A085PZT1G
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
2419521 Pcs Ny Original I Lager
P-Channel 20 V 1.9A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Begära offert
(Skickas i morgon)
*Antal
Minst 1
Minst 1
5.0 / 5.0
- (91 Betyg)
NTR3A085PZT1G
Produktöversikt
12947185
DiGi Electronics Delenummer
NTR3A085PZT1G-DGTillverkare
onsemi
NTR3A085PZT1G
Beskrivning
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIInventarier
2419521 Pcs Ny Original I Lager
P-Channel 20 V 1.9A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Antal
Minst 1
Minst 1
Köp och förfrågan
Garanti & Returer
Hur man beställer
Frakt & Leverans
Kvalitetssäkring
365 - Daglig kvalitetsgaranti - Varje del är helt täckt.
Återbetalning eller byte inom 90 dagar - Felska delar? Inga problem.
Begränsat lager, beställ nu - få pålitliga delar utan bekymmer.
Global frakt och säker förpackning
Leverans världen runt på 3-5 arbetsdagar
100% ESD antistatiskt förpackning
Sporing i realtid för varje beställning
Säker och flexibel betalning
Kreditkort, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Banköverföring (T/T) och mer
Alla betalningar krypterade för säkerhet
NTR3A085PZT1G Tekniska specifikationer
Kategori
Transistorer, FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
77mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
586 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
420mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
-
Kvalifikation
-
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datablad och dokument
Datablad
NTR3A085PZT1G Datasheet
HTML-Datasheet
NTR3A085PZT1G-DG
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Ytterligare information
Standard-paket
2,664
Andra namn
2156-NTR3A085PZT1G-OS
2832-NTR3A085PZT1G
ONSONSNTR3A085PZT1G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Desemba 02, 2025
적극적인 고객 지원 덕분에 긴급한 주문 요청도 신속하게 처리되어 업무 차질이 없었어요.
Desemba 02, 2025
I appreciated the detailed logistics updates, making the process transparent and stress-free, especially for such delicate components.
Desemba 02, 2025
I appreciate their focus on delivering products that truly last.
Desemba 02, 2025
Their eco packaging is both sustainable and practical.
Desemba 02, 2025
Support staff provided quick solutions, making my experience excellent.
Desemba 02, 2025
Great value for money! DiGi Electronics makes tech accessible to everyone.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Vanliga frågor (FAQ)
Vad är den huvudsakliga tillämpningen av onsemi P-Channel MOSFET NTR3A085PZT1G?
Denna P-Channel MOSFET är lämplig för småsignalsomkopplingsapplikationer, strömhantering och lastomkoppling i elektronikkretser som kräver upp till 20V drain-till-source spänning.
Är onsemi NTR3A085PZT1G kompatibel med ytmonteringsdesign på PCB?
Ja, den har ett SOT-23-3 (TO-236) packningsformat, vilket gör den idealisk för kompakta ytmonteringskretskort och enkel att löda på moderna elektronikkort.
Vilka är de viktigaste elektriska egenskaperna hos denna P-Channel MOSFET?
Den har en maximal kontinuerlig drainström på 1,9A vid 25°C, ett Rds On (max) på 77mΩ vid 1,6A och 4,5V Vgs, samt en drain-till-source spänning på 20V, vilket gör den lämplig för olika lågspänningsomkopplingsuppgifter.
Kan denna P-Channel MOSFET arbeta i höga temperaturmiljöer?
Ja, den är klassad för att fungera från -55°C upp till 150°C, vilket gör den lämplig för industriella och fordonsapplikationer med höga temperaturkrav.
Vilka är fördelarna med att använda onsemi NTR3A085PZT1G MOSFET i elektroniska design?
Denna MOSFET erbjuder låg Rds On, låg gate-kapacitans och pålitlig prestanda i småpaket, vilket bidrar till effektiv strömhantering och kompakta enhetsdesigner.
Kvalitetssäkring (QC)
DiGi säkerställer kvaliteten och autenticiteten för varje elektroniskt komponent genom professionella inspektioner och samplesatsning, vilket garanterar pålitlig sourcing, stabil prestanda och efterlevnad av tekniska specifikationer. Detta hjälper kunder att minska risker i leveranskedjan och använda komponenter i produktionen med förtroende.
NTR3A085PZT1G CAD Models
onsemi NTR3A085PZT1G PCB symbols & footprints
productDetail
