FCH043N60 >
FCH043N60
onsemi
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
1411 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Begära offert (Skickas i morgon)
*Antal
Minst 1
FCH043N60 onsemi
5.0 / 5.0 - (328 Betyg)

FCH043N60

Produktöversikt

12839481

DiGi Electronics Delenummer

FCH043N60-DG

Tillverkare

onsemi
FCH043N60

Beskrivning

MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3

Inventarier

1411 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Antal
Minst 1

Köp och förfrågan

Kvalitetssäkring

365 - Daglig kvalitetsgaranti - Varje del är helt täckt.

Återbetalning eller byte inom 90 dagar - Felska delar? Inga problem.

Begränsat lager, beställ nu - få pålitliga delar utan bekymmer.

Global frakt och säker förpackning

Leverans världen runt på 3-5 arbetsdagar

100% ESD antistatiskt förpackning

Sporing i realtid för varje beställning

Säker och flexibel betalning

Kreditkort, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Banköverföring (T/T) och mer

Alla betalningar krypterade för säkerhet

I lager (Alla priser är i USD)
  • ANTAL Målsättning Pris Totalt pris
  • 1 5.9660 5.9660
Bättre pris genom online RFQ.
Begära offert (Skickas i morgon)
* Antal
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

FCH043N60 Tekniska specifikationer

Kategori Transistorer, FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare onsemi

Förpackning -

Serie SuperFET® II

Produktens status Obsolete

FET-typ N-Channel

Teknik MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss) 600 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C 75A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på) 10V

rds på (max) @ id, vgs 43mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V

Vgs (max) ±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V

FET-funktion -

Effektförlust (max) 592W (Tc)

Drifttemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering Through Hole

Paket för leverantörsenhet TO-247-3

Paket / Fodral TO-247-3

Grundläggande produktnummer FCH043

Datablad och dokument

Datablad

FCH043N60

HTML-Datasheet

FCH043N60-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL) Not Applicable
REACH Status REACH Unaffected
ECCN (ECCN) EAR99
HTSUS (HTSUS) 8541.29.0095

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS

Alternativa delar

DELNUMMER
Tillverkare
ANTAL TILLGÄNGLIGT
DEL NUMMER
ENHETSPRIS
Ersättnings typ
SIHG64N65E-GE3
Vishay Siliconix
1322
SIHG64N65E-GE3-DG
7.5434
Similar
IXTQ18N60P
IXYS
5730
IXTQ18N60P-DG
0.3939
Similar
IXKR47N60C5
IXYS
2014
IXKR47N60C5-DG
0.1103
Similar
IXKK85N60C
IXYS
1146
IXKK85N60C-DG
4.5289
Similar
IXFH80N65X2
IXYS
18923
IXFH80N65X2-DG
0.0515
Similar

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Lach***icht
Desemba 02, 2025
5.0
Jede Erfahrung bei DiGi Electronics bestätigt die hohe Produktverlässlichkeit und Preis-Transparenz.
Inn***ight
Desemba 02, 2025
5.0
The packaging quality exceeded my expectations, sturdy and visually appealing at the same time.
Vivi***eams
Desemba 02, 2025
5.0
I appreciate the company's efforts in using packaging that minimizes environmental impact, paired with quick logistics.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Vanliga frågor (FAQ)

Vad är de viktigaste funktionerna och specifikationerna för FCH043N60 MOSFET från onsemi?

FCH043N60 är en N-kanals MOSFET med en spänningsklassning på 600V och en kontinuerlig-drainström på 75A vid 25°C. Den har ett lågt Rds On på 43mΩ vid 38A och 10V Vgs, vilket gör den lämplig för högspänningskraftapplikationer. Enheten monteras via genomhål i ett TO-247-3-hölje och stödjer driftstemperaturer från -55°C till 150°C.

Är onsemi FCH043N60 MOSFET lämplig för högspänningsswitchapplikationer?

Ja, FCH043N60 är utformad för högspänningsswitchning med en drain-till-source-spänning på 600V och en effektförmåga på upp till 592W vid kassetemperatur, vilket gör den idealisk för kraftomvandling och inverterkretsar.

Är FCH043N60 MOSFET kompatibel med standardstyrspänningsnivåer för grindstyrning?

Ja, denna MOSFET fungerar med en maximal grind-till-source-spänning på ±20V och en rekommenderad styrspänning på 10V, vilket säkerställer tillförlitlig switchning i olika kraftelektroniska system.

Vilka fördelar erbjuder SuperFET® II-serien av MOSFETs, som FCH043N60?

SuperFET® II-serien ger lågt Rds On, hög spänningsmarginal och stor effekttålighet, vilket förbättrar effektivitet och värmehantering i kraftswitchning, samt bidrar till att minska systemförluster.

Var kan jag hitta support eller köpa FCH043N60 MOSFET och vad bör jag veta om dess tillgänglighet?

FCH043N60 finns i lager med 1 638 enheter och är lämplig för olika tillämpningar som kräver högspännings-MOSFETs. Även om den är listad som utgången, kan den köpas via auktoriserade distributörer. Alternativa ersättningar inkluderar SIHG64N65E-GE3 eller IXTQ18N60P.

Kvalitetssäkring (QC)

DiGi säkerställer kvaliteten och autenticiteten för varje elektroniskt komponent genom professionella inspektioner och samplesatsning, vilket garanterar pålitlig sourcing, stabil prestanda och efterlevnad av tekniska specifikationer. Detta hjälper kunder att minska risker i leveranskedjan och använda komponenter i produktionen med förtroende.

Kvalitetssäkring
Förebyggande av förfalskningar och defekter

Förebyggande av förfalskningar och defekter

Omfattande screening för att identifiera falska, renoverade eller defekta komponenter, säkerställa att endast äkta och efterlevande delar levereras.

Visuell och packningsinspektion

Visuell och packningsinspektion

Elprestanda verifiering

Verifikation av komponentens utseende, märkningar, datokoder, förpackningens integritet och etikettens enhetlighet för att säkerställa spårbarhet och överensstämmelse.

Livs- och tillförlitlighetsutvärdering

DiGi Certifiering
Bloggar & Inlägg
FCH043N60 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Ingen konto än? Registrera