IRF8707TRPBF
4.9 / 5.0 - (171 Betyg)

IRF8707TRPBF

Produktöversikt

12807045

DiGi Electronics Delenummer

IRF8707TRPBF-DG
IRF8707TRPBF

Beskrivning

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Inventarier

27101 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Antal
Minst 1

Köp och förfrågan

RFQ (Begäran om offert)

Du kan skicka din RFQ-förfrågan direkt på produktens detaljsida eller RFQ-sidan. Vårt försäljningsteam kommer att svara på din förfrågan inom 24 timmar.

Betalningsmetod

Vi erbjuder flera bekväma betalningsmetoder inklusive PayPal (rekommenderat för nya kunder), kreditkort och banköverföringar (T/T) i USD, EUR, HKD och andra valutor.

VIKTIGT MEDDELANDE

Efter att du har skickat din förfrågan (RFQ) kommer du att få ett e-postmeddelande i din inkorg som bekräftar att vi har mottagit din förfrågan. Om du inte får det kan vår e-postadress ha identifierats som skräppost. Vänligen kontrollera din skräppostmapp och lägg till vår e-postadress [email protected] på din vitlista för att säkerställa att du får vårt erbjudande. På grund av möjlighet till lager- och prisfluktuationer behöver vårt försäljningsteam bekräfta din förfrågan eller beställning och skicka dig eventuella uppdateringar via e-post i god tid. Om du har några andra frågor eller behöver ytterligare hjälp, tveka inte att meddela oss.

I lager (Alla priser är i USD)
  • ANTAL Målsättning Pris Totalt pris
  • 4000 0.17 681.65
  • 8000 0.16 1293.96
  • 12000 0.15 1782.96
  • 28000 0.14 4019.98
Bättre pris genom online RFQ.
Begära offert(Skickas i morgon)
Antal
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

IRF8707TRPBF Tekniska specifikationer

Kategori FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare Infineon Technologies

Förpackning Tape & Reel (TR)

Serie HEXFET®

Produktens status Active

FET-typ N-Channel

Teknik MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss) 30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C 11A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på) 4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V

Vgs (max) ±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V

FET-funktion -

Effektförlust (max) 2.5W (Ta)

Drifttemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering Surface Mount

Paket för leverantörsenhet 8-SO

Paket / Fodral 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Grundläggande produktnummer IRF8707

Datablad och dokument

Datablad

IRF8707PbF

HTML-Datasheet

IRF8707TRPBF-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN (ECCN) EAR99
HTSUS (HTSUS) 8541.29.0095

Ytterligare information

Standard-paket
4,000
Andra namn
SP001555780
IRF8707TRPBFDKR
IRF8707TRPBFCT
IRF8707TRPBFTR
DIGI Certifiering
Bloggar & Inlägg