Förebyggande av förfalskningar och defekter
Visuell och packningsinspektion
Elprestanda verifiering
Service E-post
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Begära offert
(Skickas i morgon)
*Antal
Minst 1
Minst 1
5.0 / 5.0
- (94 Betyg)
IPP041N12N3GXKSA1
Produktöversikt
12803539
DiGi Electronics Delenummer
IPP041N12N3GXKSA1-DGTillverkare
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventarier
200457 Pcs Ny Original I Lager
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Antal
Minst 1
Minst 1
Köp och förfrågan
Garanti & Returer
Hur man beställer
Frakt & Leverans
Kvalitetssäkring
365 - Daglig kvalitetsgaranti - Varje del är helt täckt.
Återbetalning eller byte inom 90 dagar - Felska delar? Inga problem.
Begränsat lager, beställ nu - få pålitliga delar utan bekymmer.
Global frakt och säker förpackning
Leverans världen runt på 3-5 arbetsdagar
100% ESD antistatiskt förpackning
Sporing i realtid för varje beställning
Säker och flexibel betalning
Kreditkort, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Banköverföring (T/T) och mer
Alla betalningar krypterade för säkerhet
IPP041N12N3GXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
Transistorer, FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
120 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP041
Datablad och dokument
Datablad
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML-Datasheet
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Desemba 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Desemba 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Desemba 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Desemba 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Desemba 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Desemba 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Desemba 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Desemba 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Vanliga frågor (FAQ)
Vilka är de huvudsakliga egenskaperna hos Infineon OptiMOS™ N-kanal MOSFET (IPP041N12N3GXKSA1)?
Denna MOSFET stödjer en avlägsnare-till-källa-spänning på 120V och en kontinuerlig drainström på 120A vid 25°C, med ett lågt Rds On på 4,1 mΩ, vilket gör den lämplig för högkraftsswitching-applikationer. Den är utformad i ett TO-220-3-paket för enkel montering och tillförlitlig prestanda.
Vilka tillämpningar är denna 120V 120A MOSFET lämplig för?
Denna MOSFET är idealisk för kraftomvandlare, motorstyrningar och högströms-switchingscirklar där effektiv krafthantering och god termisk prestanda är avgörande. Dess robusta design garanterar hållbarhet i krävande elektroniska system.
Är denna N-kanal MOSFET kompatibel med befintliga elektronikkonstruktioner?
Ja, IPP041N12N3GXKSA1 är kompatibel med standardstyrspänningar och har ett grindtröskelvärde på 4V, vilket gör den lämplig för olika switchande kraftförsörjningsdesigner och inbäddade system.
Vilka fördelar erbjuder Infineons OptiMOS™-serie MOSFET:er?
OptiMOS™ MOSFET:er är kända för sitt låga Rds On, höga verkningsgrad och utmärkta termiska prestanda, vilket hjälper till att minska effektförlust och förbättra den totala systemtillförlitligheten.
Vilket garanti- och supportutbud finns för denna MOSFET-produkt?
Som en aktiv och RoHS3-överensstämmande produkt stöds MOSFET:en av tillverkarsupport och kvalitetsgaranti. Den levereras direkt från lager, vilket säkerställer snabb tillgänglighet för dina projekt.
Kvalitetssäkring (QC)
DiGi säkerställer kvaliteten och autenticiteten för varje elektroniskt komponent genom professionella inspektioner och samplesatsning, vilket garanterar pålitlig sourcing, stabil prestanda och efterlevnad av tekniska specifikationer. Detta hjälper kunder att minska risker i leveranskedjan och använda komponenter i produktionen med förtroende.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
